Радиационная технология изготовления мощных кремниевых резисторов

Аннотация

Представлены результаты разработки радиационной технологии изготовления мощных кремниевых
резисторов. Одним из оригинальных решений при этом является использование эффекта «отрицательного» отжига радиационных дефектов для уменьшения дозы облучения низкоомного кремния в 3–4 раза, что является следствием снижения себестоимости изготовления. Благодаря разработанной технологии стал возможным выпуск нового поколения мощных кремниевых резисторов с широким спектром Rном=0,15–82 Ом, Pном=500–7500 Вт, Trm=125–180 C для комплектации энергосберегающей преобразовательной техники.