Новые режимы квазинейтрального переноса носителей заряда в полупроводниках и их влияние на характеристики полупроводниковых структур

Аннотация

Представлена модель новых режимов транспорта носителей заряда в полупроводниках в квазинейт
ральном приближении. Показано, что в дополнение к известным режимам – квазинейтральному дрейфу и диффузии, в полупроводниковых структурах могут быть реализованы новые режимы – диффузия, стимулированная квазинейтральным дрейфом (DSQD), аномальный квазинейтральный дрейф и аномальная DSQD. Получены уравнения, описывающие эти режимы, и проанализированы их основные свойства. Показано, что новые режимы могут изменить как статические, так и динамические характеристики приборов. Учет новых режимов переноса оказывается особенно актуальным для биполярных структур на основе новых материалов – карбида кремния и нитрида галлия, способных работать при высоких плотностях тока.